 ===============================================================================
 «Публичная библиотека» (http://publ.lib.ru)
 ===============================================================================
 Московский ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции, ордена Трудового Красного Знамени Государственный университет имени М.В. Ломоносова
 Физический факультет
 Кафедра общей физики для естественных факультетов
 Г.И. Катаев, С.А. Никитин
 Общий физический практикум. Физика полупроводников
 Москва: Издательство Московского университета, 1989

 Рецензенты: канд. физико-математических наук Д.Д. Гуло, канд. физико-математических наук З.Л. Козлов
 Печатается по постановлению Редакционно - издательского совета Московского университета

 Катаев Г.И., Никитин С.Л. Общий физический практикум. Физика полупроводников. - М.: Издательство Московского университета, 1983. - 12 с.
 ISBN 5-211-01401-4.
 Пособие содержит теоретическое введение по теме «Физика полупроводников», достаточное для понимания физической сути следующих ниже описаний лабораторных работ и включающее изложение основ зонных представлений о структуре твердых тел, понятий о собственной и примесной проводимости полупроводников, о явлениях при p-n-переходе, эффекте Холла, устройстве и работе полупроводникового диода и транзистора.
 Для студентов естественных факультетов.

 ОГЛАВЛЕНИЕ:
 ПРЕДИСЛОВИЕ (3).
 ВВЕДЕНИЕ (4).
 §1. Образование энергетических зон при движении электрона проводимости в кристаллической решетке (5).
 §2. Зонная структура твердых тел (11).
 §3. Два вида носителей тока в полупроводниках (19).
 §4. Примесные центры и локальные уровни (21).
 §5. Доноры и электронная проводимость (22).
 §6. Акцепторы и дырочная проводимость (23).
 §7. Контакт полупроводников p- и n-типа (25).
 §8. Конструкции полупроводниковых диодов (32).
 §9. Полупроводниковые триоды (транзисторы) (34).
 §10. Интегральные схемы (38).
 §11. Температурная зависимость концентрации и подвижности носителей заряда (40).
 §12. Определение концентрации и подвижности носителей тока с помощью эффекта Холла (48).
 ЗАДАЧА 70. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (51).
 ЗАДАЧА 90. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ, ПОДВИЖНОСТИ И ТИПА НОСИТЕЛЕЙ ТОКА С ПОМОЩЬЮ ЭФФЕКТА ХОЛЛА (54).
 ЗАДАЧА 60. ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА (61).

 Учебное издание
 Катаев Георгий Иванович, Никитин Сергей Александрович
 Общий физический практикум. Физика полупроводников
 Заведующая редакцией Н.М. Глазкова
 Редактор Р.Д. Солод
 Художественный редактор Н.Ю. Калмыкова
 Технический редактор М.Б. Терентьева
 Подписано в печать 31.03.89. Тираж 1500 экз. Цена 15 коп.
 Ордена «Знак Почета» Издательство Московского университета.
 ===============================================================================
 *** О П И С А Н И Е * И З Д А Н И Я *** 5.4 ***
 ===============================================================================
 |ТИТУЛ ВЕБ-СТРАНИЦЫ¦ Катаев Георгий Иванович
 |СЕРИЯ, ГОД, НОМЕР ¦
 |АВТОРЫ... НАЗВАНИЕ¦ Катаев Г.И..._ Общий физический практикум. Физика полупроводников.
 |НАЗВАНИЕ ОРИГИНАЛА¦
 |ЖАНР-ФОРМА-ВИД-ТИП¦ Учебное издание.
 Авторы: Георгий Иванович Катаев, Сергей Александрович Никитин.
 |ИЗДАТЕЛЬ. - СЕРИЯ ¦ Москва: Издательство Московского университета, 1989. - Московский ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции, ордена Трудового Красного Знамени Государственный университет имени М.В. Ломоносова. Физический факультет. Кафедра общей физики для естественных факультетов
 |АВТОРЫ ФАЙЛА И OCR¦ Скан: AAW, обработка, формат Pdf-Fax: fire_varan, 2024
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ПАПКИ¦ Kataev_Georgiy_Ivanovich
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ СЕРИИ¦
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ФАЙЛА¦ Kataev_G.I...__Obschiy_fizicheskiy_praktikum._Fizika_poluprovodnikov.(1989)
 |ДОПОЛНЕНИЯ К ИМЕНИ¦ [pdf-fax]
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ОБЛ. ¦ Ofpfp89
 |АННОТАЦИЯ ИЗДАНИЯ ¦ ИЗ ИЗДАНИЯ:
 Пособие содержит теоретическое введение по теме «Физика полупроводников», достаточное для понимания физической сути следующих ниже описаний лабораторных работ и включающее изложение основ зонных представлений о структуре твердых тел, понятий о собственной и примесной проводимости полупроводников, о явлениях при p-n-переходе, эффекте Холла, устройстве и работе полупроводникового диода и транзистора.
 Для студентов естественных факультетов.
 |СОДЕРЖАНИЕ ИЗДАНИЯ¦ ОГЛАВЛЕНИЕ:
 Предисловие (3).
 Введение (4).
 §1. Образование энергетических зон при движении электрона проводимости в кристаллической решетке (5).
 §2. Зонная структура твердых тел (11).
 §3. Два вида носителей тока в полупроводниках (19).
 §4. Примесные центры и локальные уровни (21).
 §5. Доноры и электронная проводимость (22).
 §6. Акцепторы и дырочная проводимость (23).
 §7. Контакт полупроводников p- и n-типа (25).
 §8. Конструкции полупроводниковых диодов (32).
 §9. Полупроводниковые триоды (транзисторы) (34).
 §10. Интегральные схемы (38).
 §11. Температурная зависимость концентрации и подвижности носителей заряда (40).
 §12. Определение концентрации и подвижности носителей тока с помощью эффекта Холла (48).
 Задача 70. Исследование температурной зависимости электросопротивления полупроводников (51).
 Задача 90. Определение концентрации, подвижности и типа носителей тока с помощью эффекта холла (54).
 Задача 60. Изучение работы транзистора (61).
 ===============================================================================